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5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越

近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域

天眼查顯示，泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年3月7

近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格

近日，致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客

近期，全國建設(shè)項目環(huán)境信息公示平臺發(fā)布了河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環(huán)境保護(hù)驗收公示。該項目

天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

4月10日，意法半導(dǎo)體官網(wǎng)宣布 重塑制造布局和調(diào)整全球成本基礎(chǔ) 計劃。預(yù)計在未來3年，重點關(guān)注300mm 硅、200mm 碳化硅的先進(jìn)制造

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司申請一項名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利

4月8日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司正式向港交所遞交上市申請，中金公司為其保薦機(jī)構(gòu)，港股有望迎來一家全球碳化硅外

2025年開局，中國新能源汽車市場延續(xù)了此前的強(qiáng)勁勢頭。1-2月產(chǎn)銷分別完成190.3萬輛和183.5萬輛，同比增速達(dá)52%，滲透率攀升至41

4月7日，據(jù)大眾新聞報道，天岳先進(jìn)位于濟(jì)南市槐蔭區(qū)的碳化硅項目即將迎來投產(chǎn)。據(jù)了解，該項目為年產(chǎn)500噸碳化硅單晶基地擴(kuò)產(chǎn)能

4月8日午間，士蘭微(600460)披露公司碳化硅項目的最新進(jìn)展。經(jīng)過加快建設(shè)，第Ⅱ代SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能正在釋放。同時，第Ⅳ代SiC芯

4月2日下午，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊在徐文匯總經(jīng)理的帶領(lǐng)下，赴山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院開展碳化硅（SiC）功率器件技術(shù)交流

近日，深圳市金威源科技股份有限公司與杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司正式簽訂碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方企業(yè)負(fù)責(zé)人及相關(guān)人員出席

天岳先進(jìn)攜全系12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣震撼登場。其中，12英寸碳化硅光學(xué)片更是成為展會焦點，不僅展示了天岳先進(jìn)的技術(shù)實力，也為AR虛擬顯示領(lǐng)域帶來了全新的解決方案。

碳化硅作為一種高性能材料，因其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體行業(yè)中，特別是作為涂層材料時，展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。一代材料，