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近日,西湖儀器成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案,大幅降低損耗,提升加工速度,推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。此

全球首發(fā)!天岳先進(jìn)攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品震撼登場(chǎng)SEMICON China 2025

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,因其卓越的性能而備受關(guān)注。然而,高品質(zhì)低成本

專利摘要顯示,本發(fā)明涉及 一種 8 英寸碳化硅晶圓單 面拋光方法,采用半徑小 于 8 英寸的陶瓷盤對(duì) 8 英 寸碳化硅晶圓進(jìn)行單面 拋

天眼查顯示,泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布,申請(qǐng)公布日為2025年2月14日

四川普州大地城市產(chǎn)銀科技發(fā)展有限公司與新加坡拓譜電子公司(Singapore TOPO electronic Pte, LTD)成功簽署合作協(xié)議

三安光電表示,重慶三安的襯底產(chǎn)品已穩(wěn)定供應(yīng)安意法產(chǎn)線,隨著產(chǎn)能爬坡,成本優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步顯現(xiàn)。

博世汽車電子中國(guó)區(qū)(ME - CN)在蘇州五廠正式建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,這一里程碑式進(jìn)展標(biāo)志著博世在碳化硅功率模塊生產(chǎn)領(lǐng)域邁入全新階段。

3月11日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景,提供

3月7日,中國(guó)(福建)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)廈門片區(qū)管理委員會(huì)發(fā)布消息,瀚天天成電子科技(廈門)有限公司的8英寸碳化硅外延晶片廠房

河北保定近日迎來(lái)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要突破河北同光半導(dǎo)體股份有限公司國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心正式揭牌,同時(shí)年產(chǎn)20萬(wàn)片碳化硅單晶襯

近日,“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”期間,浙江大學(xué)特聘研究員、博士生導(dǎo)師任娜帶來(lái)”基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管“的主題報(bào)告。

近日,“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”在重慶山城國(guó)際會(huì)議中心盛大召開。“分論壇一:8英寸碳化硅晶圓智能制造”上,泰克科技大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣出席論壇,并帶來(lái)”從參數(shù)測(cè)試到可靠性驗(yàn)證 新型功率器件的特性表征“的主題報(bào)告。

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2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇上,河南中宜創(chuàng)新芯發(fā)展有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理孫毅,帶來(lái)了“碳化硅半導(dǎo)體粉體進(jìn)展”的主題報(bào)告。

碳化硅技術(shù)賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 山大華天亮相2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子宣布,其投資 70 億元建設(shè)的廈門海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線(一期)已

2月28日,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密

據(jù)海滄區(qū)融媒體中心消息,士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司的8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目正式全面封

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