自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電
集微網報道 4月19日-21日，2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業大會在武漢光谷舉行。在開幕式上，第三代半導體產業技術創
EDA貫穿集成電路（IC）產業設計、制造、封測等各個環節，在芯片產業中不可或缺，不同應用場景下器件結構性、設計流程、仿真驗證
2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇（CASICON 2023）尊敬的各有關單位：第三代半導體是實現雙碳目標、東數西
3月27日上午，市重點工程泰科天潤總部項目舉行開工奠基儀式。泰科天潤總部項目位于中關村順義園第三代半導體產業基地，規劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設。項目建成后，將有效帶動順義區第三代半導體產業發展。
3月15日，火炬工業集團與深圳愛科思達科技有限公司（下稱愛科思達）舉行智能電源設備研發制造基地項目簽約儀式。愛科思達公司成
提前布局、抓住先機，北京經開區搶占第三代半導體制高點
智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術進步給電動車電驅電控系統和電源系統帶來的新的技術進展。
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬
2月24日，2021年度湖南省科學技術獎勵大會召開。會議表彰了2021年度湖南省科學技術獎，共有授獎項目（團隊、人選）293項，其中杰
?第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）通過在全球范圍內集成和共享創新資源，構建以市場為牽引，研發、產業、資本深度融合
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬
作為第三代半導體應用的第一個突破口，半導體照明過去近20年的發展是由核心技術的不斷進步和突破帶動，邊開花邊結果，開啟了一個
由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟及其他12家行業組織聯合主辦的2023年第二屆先進半導體領域產教融合人才發展論壇（第八屆國際
2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。
2023年2月10日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利閉幕。
以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的
律回春暉暖，萬象始更新。被視為全球第三代半導體行業風向標的第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論
2月8日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在蘇州盛大開幕。在這場被視為全球第三
2022年，全球新冠肺炎疫情此消彼長，俄烏沖突導致地緣政治持續惡化，中美戰略博弈對抗升級，宏觀經濟趨緩，消費市場疲軟，供需關