如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時(shí)，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二極管2000V G5，這是市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流母線電壓高達(dá)1500 VDC的應(yīng)用，額定電流為10A至80A，是光伏、電動(dòng)汽車充電等高直流母線電壓應(yīng)用的完美選擇。

該產(chǎn)品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，間隙距離為5.4mm，再加上高達(dá)80A的額定電流，顯著提升了功率密度。它使開發(fā)人員能夠在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的功率水平，而元件數(shù)量僅為1200V SiC解決方案的一半，簡化了整體設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了從多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到兩電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的平穩(wěn)過渡。

此外，CoolSiC™肖特基二極管2000V G5采用.XT互連技術(shù)，大大降低熱阻和阻抗，更好地實(shí)現(xiàn)了熱管理。此外，HV-H3TRB可靠性測(cè)試也證明了該二極管對(duì)濕度的耐受性。該二極管沒有反向或正向恢復(fù)電流，且具有正向低電壓的特點(diǎn)，確保系統(tǒng)性能更優(yōu)。

2000V二極管系列與英飛凌2024年春季推出的TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC™ MOSFET 2000V完美適配。CoolSiC™二極管2000V產(chǎn)品組合將通過提供TO-247-2封裝而得到擴(kuò)展，該封裝將于2024年12月推出。此外，英飛凌還提供了與CoolSiC™ MOSFET 2000V匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合。

供貨情況

采用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC™肖特基二極管2000V G5系列及其評(píng)估板現(xiàn)已上市。

（來源：英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ）