國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“檢測晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置”的專利，公開號 CN 119133024 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種檢測晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置。所述檢測晶圓位置的方法包括如下步驟：提供卡盤，所述卡盤包括用于承載晶圓的承載面，所述承載面的中心具有承載中心坐標(biāo)；放置晶圓于所述卡盤上；獲取所述晶圓邊緣上的多個位置相對于所述承載面的中心的邊緣坐標(biāo)；根據(jù)多個所述邊緣坐標(biāo)計算所述晶圓的中心的坐標(biāo)，作為晶圓中心位置坐標(biāo)；判斷所述晶圓中心位置坐標(biāo)與所述承載中心坐標(biāo)是否重合，若否，則確定所述晶圓在所述卡盤上的位置發(fā)生偏移。本發(fā)明能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝的順利進行，避免對所述晶圓造成碎片等損傷，改善了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能和制造良率。