由工業和信息化部電子第五研究所牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環試驗方法》以及T/CASAS 016—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）結殼熱阻瞬態雙界面測試方法》于2022年7月18日正式面向產業發布。

 

2項標準由工業和信息化部電子第五研究所、西安交通大學、南方電網科學研究院有限責任公司、比亞迪半導體有限公司、國網智能電網研究院有限公司、中國電子科技集團集團第五十五研究所等多家單位于2020年12月啟動標準預研工作，并于2021年4月正式立項。

 

 

 

T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環試驗方法》規定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環試驗方法，評價器件在承受規定應力的條件下是否符合規定的循環次數。對于提升SiC MOSFET器件的可靠性評價與分析技術能力，支撐SiC MOSFET器件的可靠性改進具有重要意義。

 

 

工業和信息化部電子第五研究所、江蘇宏微科技股份有限公司、國網智能電網研究院有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、中國電子科技集團集團第五十五研究所、比亞迪半導體有限公司、深圳基本半導體有限公司、上海精密計量測試研究所、南方電網科學研究院有限責任公司、西安交通大學、東莞南方半導體科技有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

 

 

陳媛、賀致遠、來萍、路國光、姚天保、李金元、李堯圣、謝峰、成年斌、陳義強、黃云、劉奧、劉昌、徐新兵、吳海平、唐宏浩、劉偉鑫、李巍巍、王來利、喬良、徐瑞鵬。

 

 

T/CASAS 016—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）結殼熱阻瞬態雙界面測試方法》規定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）結殼熱阻瞬態雙界面測試方法，適用于SiC MOSFET分立器件，以源極和漏極之間的電壓Vsd作為測試溫敏參數的結殼熱阻測試。

 

 

工業和信息化部電子第五研究所、中國電子科技集團第五十五研究所、南方電網科學研究院有限責任公司、國網智能電網研究院有限公司、西安交通大學、東南大學、山東大學、南京航空航天大學、深圳基本半導體有限公司、東莞南方半導體科技有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

 

 

付志偉、侯波、周斌、陳思、楊曉鋒、陳義強、陳媛、來萍、黃云、路國光、劉奧、郭懷新、李巍巍、李金元、李堯圣、王來利、劉斯揚、楊家躍、崔益軍、唐宏浩、喬良、徐瑞鵬。

 

工業和信息化部電子第五研究所（中國賽寶實驗室），又名中國電子產品可靠性與環境試驗研究所，始建于1955年，是中國最早從事可靠性研究的權威機構。

 

實驗室可提供從材料到整機設備、從硬件到軟件直至復雜大系統的認證計量、試驗檢測、分析評價、數據服務、軟件評測、信息安全、技術培訓、標準信息、工程監理、節能環保、專用設備和專用軟件研發等技術服務。實驗室具有多項認證、檢測資質和授權，建立了良好的國際合作互認關系，可在世界范圍內開展認證、檢測業務，代表中國進行國際技術交流、標準和法規的制訂。同時，作為工業和信息化部的直屬單位，為部的行業管理和地方政府提供技術支撐，為電子信息企業提供技術支持與服務，每年服務企業過萬家。

 

 

● 中國最早從事可靠性研究的權威機構

 

● 工業和信息化部直屬的行業支撐服務單位

 

● 獲多項國內外認可資質的獨立實驗室

 

● 專業的質量可靠性共性技術服務