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港府:發展半導體芯片并非走他人老路,第三代氮化鎵芯片是全球新趨勢

發表于:2022-12-26 來源:半導體產業網 編輯:

  香港特區政府12月22日發表《創新科技發展藍圖》,提出推動新型工業化,具體列舉了半導體芯片及新能源汽車產業。香港創新科技及工業局局長孫東12月23日在一個電臺節目中表示,香港要發展的是新興的第三代芯片,并非走其他地區的發展老路。

  香港創新科技及工業局局長孫東表示,特區政府首次在《創新科技發展藍圖》中明確提出香港的創新科技,要在上中下游協調發展,特別是要發展自身獨特的優勢產業。

  香港創新科技及工業局局長 孫東:

  “傳統上,特別是過去20多年里,香港基礎科研實力一直較雄厚,特區政府在政策上也比較支持,所以我們在上游的基礎科研一直保持不錯的態勢,但是在中游的成果轉化以及下游的產業發展,香港與周邊地區相比,還是存在進一步發展的空間。”

  孫東指出,在香港發展科技產業,并不是一拍腦門,什么都能做。當局選擇產業發展主要基于四個考量,包括香港在相關產業是否具備優勢、產業能否拉動本地經濟、能否創造本地就業以及能否貢獻國家所需。

  香港創新科技及工業局局長 孫東:

  “我們發展半導體芯片產業,不是要重復他人發展的老路及產業模式,而是根據世界最新發展潮流去發展新的東西,比如說基于氮化鎵的第三代半導體芯片產業發展,現在屬于是全球最新的趨勢,大家基本上處于同一起跑線上。”

  孫東認為,香港在半導體芯片研發上具有相當的優勢,包括學術界有具備國際水平的研究人員等,相信能在亞洲乃至世界逐步取得領先地位。至于發展新能源汽車,同樣經過詳細考慮,也與深圳市政府進行溝通,確保汽車零部件供應,相信會為社會創造巨大價值。

  來源:鳳凰衛視

 

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