近日，2023中國（寧波）第四屆第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在寧波國際會議中心舉行。寧波電子行業(yè)協(xié)會會長李凌，寧波市經(jīng)信局黨組成員、副局長王川出席并致辭。

本次論壇通過深入研討半導體技術(shù)應用發(fā)展趨勢，旨在聚焦新能源汽車與消費電子前沿技術(shù)及創(chuàng)新應用，進一步探索構(gòu)建寧波市第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)。

據(jù)了解，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料具備高頻、高效、耐高壓、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，是支撐半導體照明、新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道交通、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點核心材料和電子元器件。

寧波市經(jīng)信局副局長王川表示，寧波市高度重視第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)的培育發(fā)展，經(jīng)過多年的努力，已初步形成了涵蓋半導體基礎(chǔ)材料、集成電路設(shè)計、制造、封測、應用的全產(chǎn)業(yè)鏈條，構(gòu)建了以芯港小鎮(zhèn)、集成電路創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園等為支撐的“一區(qū)四鏈”產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。

論壇報告環(huán)節(jié)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長馮亞東分享了《國際半導體政策研究》報告，寧波市經(jīng)信局處長兼市數(shù)字經(jīng)濟局副局長蘇志杰介紹了《寧波半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與政策》，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長、光榮資產(chǎn)管理(北京)有限公司合伙人耿博帶來了《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及投資狀況分析》報告，甬江實驗室研究員鐘飛介紹了《協(xié)同創(chuàng)新平臺模式探討與實踐》，復旦大學寧波研究院教授張清純分享了《國產(chǎn)SiC器件國產(chǎn)化現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢》，上海蔚來汽車研發(fā)總監(jiān)李道會介紹了《第三代半導體助推電動汽車進程》，中電化合物半導體有限公司董事潘堯波分享了《SiC 材料的進展和挑戰(zhàn)》，上海特易信息科技有限公司副總經(jīng)理王燕飛分享了《半導體照明產(chǎn)業(yè)國際貿(mào)易趨勢解讀》報告。

近年來我國半導體產(chǎn)業(yè)取得了快速發(fā)展，在半導體組裝、封裝和測試領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，我國但在半導體芯片設(shè)計、設(shè)備方面還存在短板。美國已經(jīng)將我國作為主要競爭對手，各國密集的政策出臺勢必將對全球半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)、我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生重要影響。馮亞東副秘書長在報告中表示，要聚焦國家戰(zhàn)略，重大項目牽引，形成發(fā)展合力。以應用促發(fā)展，培育龍頭，加快迭代研發(fā)，推動產(chǎn)業(yè)集群。建立協(xié)同創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)體系和生態(tài)。推進新形勢下精準深入的國際科技合作。

耿博副秘書長指出，“十四五”是我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵窗口期，近期補短板，長期建立競爭優(yōu)勢，窗口期3-5年，需要形成合力。發(fā)展模式上，一是要保障人才、平臺、機構(gòu)可持續(xù)發(fā)展的能力建設(shè)，二是通過示范應用加速工程化技術(shù)迭代提升，推動形成規(guī)?；a(chǎn)能力。需求牽引，協(xié)同創(chuàng)新形成本土閉環(huán)產(chǎn)業(yè)鏈，產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)形成自主保障能力，推動完善上中下游互融共生、分工合作的市場化機制。著眼長遠、把握大勢，聯(lián)盟將充分發(fā)揮橋梁作用，為政產(chǎn)學研合作搭建平臺，打通產(chǎn)業(yè)鏈上下游、促進協(xié)同創(chuàng)新。

其中，張清純教授表示：“自推出國內(nèi)首款量產(chǎn)的‘15V驅(qū)動SiCMOSFET系列產(chǎn)品’，成功填補國內(nèi)空白，并服務多家光伏與儲能行業(yè)頭部企業(yè)后，今年我們將正式上量。”目前下一代碳化硅芯片已在多家車企驗證，未來將在電動車主驅(qū)芯片持續(xù)發(fā)力，率先實現(xiàn)主驅(qū)碳化硅芯片的國產(chǎn)替代。

潘堯波透露，目前國內(nèi)碳化硅材料質(zhì)量達到國際先進水平，能支撐碳化硅器件對材料質(zhì)量的要求。SiC材料降本放量成為當前核心，SiC技術(shù)不斷發(fā)展，一些關(guān)鍵技術(shù)問題需要基礎(chǔ)課題研究，需要產(chǎn)學研大力合作。2025年SiC材料將進入8吋時代，將會形成新的競爭格局。