?半導體產業網獲悉：由山東大學牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS 025—2023《8英寸碳化硅襯底片基準標記及尺寸》、T/CASAS 026—2023《碳化硅少數載流子壽命測定 微波光電導衰減法》、T/CASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法》于2023年6月19日正式面向產業發布。

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T/CASAS 025—2023《8英寸碳化硅襯底片基準標記及尺寸》規定了8英寸碳化硅襯底片基準標記及尺寸，適用于碳化硅切割片、研磨片和拋光片。

【本文件主要起草單位】

山東大學、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導體股份有限公司、紹興中芯集成電路制造股份有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

【本文件主要起草人】

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崔瀠心、楊祥龍、陳秀芳、徐現剛、來玲玲、于國建、馮淦、丁雄杰、潘國衛、秋琪、徐瑞鵬。

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T/CASAS 026—2023《碳化硅少數載流子壽命測定 微波光電導衰減法》描述了用微波光電導法測定碳化硅少數載流子壽命的方法，適用于少數載流子壽命為20 ns～200 μs的碳化硅晶片的壽命測定及質量評價。

【本文件主要起草單位】

山東大學、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導體股份有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導體有限公司、安徽長飛先進半導體有限公司、中國科學院半導體研究所、中電化合物半導體有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

【本文件主要起草人】

楊祥龍、崔瀠心、彭燕、徐現剛、來玲玲、于國建、馮淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、趙海明、鈕應喜、金向軍、徐瑞鵬。

T/CASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法》描述了電感耦合等離子體質譜法測定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞等元素含量的測定，測定范圍為108 cm-2～1012 cm-2。適用于100 mm(4吋)～200 mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等無圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測定。

【本文件起草單位】

山東大學、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導體股份有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導體有限公司、安徽長飛先進半導體有限公司、中國科學院半導體研究所、中電化合物半導體有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

【本文件主要起草人】

崔瀠心、陳秀芳、謝雪健、楊祥龍、徐現剛、來玲玲、于國建、馮淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、趙海明、鈕應喜、金向軍、徐瑞鵬。

請登錄第三代半導體產業技術創新戰略聯盟官網查看已發布及制定中的標準。

【山東大學新一代半導體材料研究院】

山東大學新一代半導體材料研究院是教育部首批支持的戰略科技創新平臺，依托山東大學開展建設。研究院充分發揮學校在半導體材料研究領域的已有優勢，通過整合校內微電子、物理、化學、材料、機械、控制、信息等優勢學科力量，瞄準半導體材料技術未來發展方向，面向能源、信息、國防、軌道交通等領域的重大需求，重點開展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁等新一代寬禁帶、超寬禁帶半導體單晶材料及器件研究工作，旨在突破關鍵核心技術，支撐核心產業發展，推動我國新一代半導體、集成電路、信息技術的快速發展，滿足國防安全和經濟建設的重大需求。

（來源：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟）