近日，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區(qū)。

 

據(jù)悉，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目利用同濟大學在晶體領域的技術成果、持續(xù)創(chuàng)新力和影響力，由同濟大學國家級創(chuàng)新技術團隊聯(lián)袂世界領先的半導體單晶生長和加工裝備制造企業(yè)連城數(shù)控、半導體襯底片加工企業(yè)青島華芯在無錫高新區(qū)設立。

 

消息顯示，項目重點實施“氧化鎵晶體制造、裝備和工藝技術”“藍寶石晶體制造、裝備和工藝技術”和“磁光晶體制造、裝備和工藝技術”等“卡脖子”項目的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，建設“人工晶體生長”“精密光學加工”“檢測裝備與技術”等公共服務平臺，建立院士工作站，掛牌“同濟大學人工晶體研究院”等項目內容。

 

氧化鎵是提升集成電路產(chǎn)業(yè)市場競爭力、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)跨越式技術進步的重要材料，正在逐漸成為半導體材料界一顆冉冉升起的新星，市場發(fā)展?jié)摿薮?。此前有?shù)據(jù)顯示，到2030年，氧化鎵功率半導體市場規(guī)模將達15億美元。

 

業(yè)內普遍認為，未來，氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導體材料的代表，中國科學院院士郝躍進一步提出，未來10年，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。