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三安半導體推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET,發布8英寸碳化硅襯底!

發表于:2023-09-11 來源:半導體產業網 編輯:

9月6-8日,三安半導體攜碳化硅全產業鏈產品亮相SEMICONTaiwan2023,成功吸引行業關注,展示公司在第三代半導體研發和商業化進程中的突出實力。業內專家表示,三安半導體的技術創新將為可再生能源產業提供關鍵支持。

湖南三安半導體致力于加速碳化硅應用普及,提高系統效率,推動可持續發展,促進低碳社會生活。作為國內為數不多的碳化硅垂直整合制造平臺,可提供從晶體生長、襯底制備、外延生長、芯片制程到封裝測試的全產業鏈制造服務,實現產品迭代、質量、交付的全方位管控。湖南三安半導體的產品和服務包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅材料和氮化鎵晶圓代工等,為新能源汽車、光伏儲能、通信基站、數據中心、不間斷電源、工業自動化、家用電器以及消費類電子產品等高可靠性應用提供助力。

三安半導體針對新能源行業的發展痛點,在展會上推出650V-1700V寬電壓范圍的SiCMOSFET,這些產品大幅提升了系統效率、功率密度、穩定可靠性等指標。此外,三安半導體還首發適用于電力電子的8英寸碳化硅襯底,有助于推動產業鏈降本增效。

展臺現場客戶反響熱烈。多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數后,表示已經確認采購意向。業內專家指出,三安半導體此次展出的關鍵產品性能達到國際領先水平,顯示出公司在碳化硅技術上的積極進取和創新實力。

三安半導體市場銷售負責人表示,公司將繼續加大研發和產業化投入力度,提升品質一致性及供應鏈安全。通過產業鏈垂直整合和大規模量產制造,三安半導體有信心為可再生能源產業提供具有核心競爭力的碳化硅產品。

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